由中国天津大学和美国佐治亚理工学院科研人员组成的研究团队,使用特殊熔炉在碳化硅晶圆上生长石墨烯取得突破,生产出外延石墨烯,这是在碳化硅晶面上生长的单层材料。
研究发现,如果制造得当,外延石墨烯会与碳化硅发生化学键合,并表现出半导体特性。
测量表明,石墨烯半导体的室温电子迁移率是硅的十倍。这意味着更快的切换速度,可能使得GPU、CPU等设备更高效地完成运算任务。此外,与传统材料相比,石墨烯半导体强大的化学、机械和热性能可以增强电子产品的耐用性和可靠性。
研究团队表示,该研究对未来石墨烯电子学真正走向实用化具有重大意义。不过,距离石墨烯半导体完全落地,估计还要10到15年。
来源:央视财经