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在化学上,ITO 是Indium Tin Oxides的缩写。
作为纳米铟锡 金属氧化物,具有很好的 导电性和透明性,可以切断对人体有害的 电子辐射、紫外线及 远红外线。因此,铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及 电子显示屏上,用作 透明导电薄膜,同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。
ITO 是一种N型 氧化物半导体- 氧化铟锡, ITO薄膜即铟锡氧化物半导体 透明导电膜,通常有两个性能指标: 电阻率和 透光率。
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在氧化物 导电膜中,以掺Sn的In2O3(ITO)膜的 透过率最高和导电性能最好,而且容易在酸液中 蚀刻出细微的图形,其中透光率达90%以上。ITO中其透光率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例来控制,通常SnO2:In2O3=1:9。
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目前ITO膜层之电阻率一般在5*10E-4左右,最好可达5*10E-5,已接近金属的电阻率,在实际应用时,常以 方块电阻来表征ITO的导电性能,其透过率则可达90%以上,ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例控制,增加 氧化铟比例则可提高ITO之 透过率,通常SnO2: In2O3=1:9,因为 氧化锡之厚度超过200Å时,通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。
如用是电流平行流经ITO脱层的情形,其中d为膜厚,I为电流,L1为在电流方向上膜厚层长度,L2为在垂直于电流方向上的膜层长主,当电流流过方形 导电膜时,该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜 之 电阻率,对于给定膜层,P和d可视为定值,P/d,当L1=L2时,怒火正方形膜层,无论方块大小如何,其电阻均为定值P/d,此即 方块电阻定义: R□=P/d,式中R□单位为:欧姆/□(Ω/□),由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低,膜厚越大。
目前在高档STN 液晶显示屏中所用ITO玻璃,其R□可达10Ω/□左右,膜厚为100-200nm,而一般低档TN产品的ITO玻璃R□为100-300Ω/□,膜厚为20-30nm。
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