氮化镓（(GaN)是一种重要的半导体材料某工厂利用铝土矿 (成分为 Al 2O3、Ga2O3、Fe2O3等)为原料制备GaN 的流程如下图所示:已知:镓与铝同主族,镓的熔点是 29.8 °C,沸点是 2403°C;其氧化物和氢氧化物均为两性化合物;氢氧化物的电离常数如下:两性氢氧化物Al( OH) 3Ga( OH) 3酸式电离常数 Ka2×10-111×10-7碱式电离常数 Kb1.3 ×10-331.4 ×10-34","title_text":"氮化镓 (GaN)是一种重要的半导体材料某工

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[答案] (1). 搅拌、适当提高温度、 粉碎、适当提高溶液浓度等 (2). Fe2O3 (3). [Ga(OH)4]-+CO2= Ga(OH) 3↓+HCO -3或GaO-2 + CO2+ 2H2O= Ga(OH) 3↓+HCO -3 (4). 2Ga(l) + 2NH3 ( g) 2GaN(s) +3H2(g) △H = -30. 9kJ?mol1、(5).< (6). 由 C 点 到 B 点 , NH 3体积分数增大 ,说明 T1 > T2 ; 反应放热 ,升高温度 , K 减小 ,所以 KA < KC (7). 42wa%b%

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